Amplificatore a basso (0,5/1/2/5/8/10/16/20/25W)
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Frequenza di lavoro |
930-954/954-960MHz |
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Guadagni |
55dB ± 1dB (@ intervallo di temperatura) |
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Potenza di uscita |
27/30/33/37/39/40/42/43/44±1dBm |
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Gamma di ALC |
20 dB (potenza di ingresso aumentata di 20 dB, variazione di potenza di uscita mantenuta nell'intervallo di ±1 dB) |
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La gamma ATT |
30dB (precisione 0-20 ± 1dB, 20-30 ± 1,5dB, passo 1dB) |
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Polonia |
≤1.4:1 |
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Interregolazione di tre livelli |
≤-45dBc (@ punti di potenza piena, intervallo bifonico 600kHz) |
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Fluttuazione all'interno della banda |
≤1.6 |
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Lancio diffuso |
9kHz~1GHz: ≤-40dBm, 1GHz~12.75GHz: ≤-36dBm |
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Alimentazione elettrica |
+ 27V di penetrazione del capacitore, con la mappa; Corrente ≤4A |
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Temperatura di funzionamento |
-25℃~+55℃ |
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Collegamento |
SMA-KF |
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Porte I/O |
P1-5: amplificatore corrispondente 1, 2, 4, 8, 16 dB attenuazione, alto livello efficace |
Basso rumore ascendente
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Frequenza di lavoro |
885-909/909-915MHz |
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Guadagni |
55dB ± 1dB (@ intervallo di temperatura) |
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Potenza di uscita |
Po=-5±1dB |
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Gamma di DGC |
30dB (precisione 0-20 ± 1dB, 20-30 ± 1,5dB, passo 1dB) |
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Interregolazione di tre livelli |
≤-50dBc (@ punto di potenza piena, intervallo bifonico 600kHz) |
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Fluttuazione all'interno della banda |
≤1.5 |
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Polonia |
≤1.3:1 |
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Fattore di rumore |
≤3dB |
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Lancio diffuso |
9kHz~1GHz: ≤-90dBm, 1GHz~12.75GHz: ≤-85dBm |
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Collegamento |
SMA-KF |
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Alimentazione elettrica |
+ 12V di penetrazione del capacitore, con il terreno; Corrente ≤800mA |
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Temperatura di funzionamento |
-25℃~+55℃ |
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Tipo di struttura |
161*100*30 |
